Перевод: с английского на украинский

с украинского на английский

self-aligned semiconductor device

См. также в других словарях:

  • self-aligned semiconductor device — puslaidininkinis įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned semiconductor device vok. selbstjustierter Halbleiterbaustein, m rus. полупроводниковый прибор с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Self-aligned gate — A self aligned gate is a design arrangement where a highly doped gate in a MOSFET is used as a mask for the doping of the source and drain around it. This technique ensures that the gate will always overlap the edges of the source and drain. The… …   Wikipedia

  • Multigate device — A multigate device or multiple gate field effect transistor(MuGFET) refers to a MOSFET which incorporates more than one gate into a single device. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces …   Wikipedia

  • dispositif semi-conducteur à régions auto-alignées — puslaidininkinis įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned semiconductor device vok. selbstjustierter Halbleiterbaustein, m rus. полупроводниковый прибор с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • puslaidininkinis įtaisas su susitapatinančiomis sritimis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned semiconductor device vok. selbstjustierter Halbleiterbaustein, m rus. полупроводниковый прибор с самосовмещёнными областями, m pranc. dispositif semi conducteur à régions auto… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • selbstjustierter Halbleiterbaustein — puslaidininkinis įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned semiconductor device vok. selbstjustierter Halbleiterbaustein, m rus. полупроводниковый прибор с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • полупроводниковый прибор с самосовмещёнными областями — puslaidininkinis įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned semiconductor device vok. selbstjustierter Halbleiterbaustein, m rus. полупроводниковый прибор с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

  • Integrated circuit — Silicon chip redirects here. For the electronics magazine, see Silicon Chip. Integrated circuit from an EPROM memory microchip showing the memory blocks, the supporting circuitry and the fine silver wires which connect the integrated circuit die… …   Wikipedia

  • nanotechnology — /nan euh tek nol euh jee, nay neuh /, n. any technology on the scale of nanometers. [1987] * * * Manipulation of atoms, molecules, and materials to form structures on the scale of nanometres (billionths of a metre). These nanostructures typically …   Universalium

  • Carbon nanotube — Not to be confused with Carbon fiber. Part of a series of articles on Nanomaterials Fullerenes …   Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»